IXFH60N50P3可靠的晶体管 - FET

IXFH60N50P3产品特性：

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low RDS(ON) and QG

Low Package Inductance

IXFH60N50P3产品优势：

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

IXFH60N50P3主要应用如下：

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

规格：

FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 4mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）96nC @ 10VVgs（最大值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6250pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）1040W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）100 毫欧 @ 30A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247AD（IXFH）封装/外壳TO-247-3

产品说明：

场效应晶体管 » MOSFET » IXFH60N50P3

关于IXFH60N50P3电子元器件，半导体等1片起售！向海外发送的订单，如日本时间中午12点之前确认付款，最早可当天发货。

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N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier