IXTK82N25P新MOSFET高端IXYS

IXTK82N25PU产品实物图片：

产品特性：

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low RDS(ON) and QG

Low Package Inductance

IXTK82N25P详细规格说明：

制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息 

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-264-3

通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:250 VId-连续漏极电流:82 ARds On-漏源导通电阻:35 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:5 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:142 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C配置:SinglePd-功率耗散:500 W通道模式:Enhancement商标名:PolarHT封装:Tube高度:26.59 mm 长度:20.29 mm 系列:IXTK82N25 晶体管类型:1 N-Channel 类型:PolarHT Power MOSFET 宽度:5.31 mm 商标:IXYS 正向跨导 - 最小值:30 S 下降时间:22 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:20 ns 工厂包装数量:25 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:78 ns 典型接通延迟时间:29 ns 单位重量:10 g

产品封装说明：

IXTK82N25P产品主要优势：

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

产品主要应用：

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

IXTT82N25P

IXTQ82N25P

IXTK82N25P