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产品属性
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IXTK82N25PU产品实物图片:
产品特性:
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low RDS(ON) and QG
Low Package Inductance
IXTK82N25P详细规格说明:
制造商:IXYS
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-264-3
通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:250 VId-连续漏极电流:82 ARds On-漏源导通电阻:35 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:5 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:142 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C配置:SinglePd-功率耗散:500 W通道模式:Enhancement商标名:PolarHT封装:Tube高度:26.59 mm 长度:20.29 mm 系列:IXTK82N25 晶体管类型:1 N-Channel 类型:PolarHT Power MOSFET 宽度:5.31 mm 商标:IXYS 正向跨导 - 最小值:30 S 下降时间:22 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:20 ns 工厂包装数量:25 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:78 ns 典型接通延迟时间:29 ns 单位重量:10 g
产品封装说明:
IXTK82N25P产品主要优势:
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
产品主要应用:
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
IXTT82N25P
IXTQ82N25P
IXTK82N25P
TO-264-3
250 V
82 A
35 mOhms
500 W
1 N-Channel