DIODES原装现货BSS84-7-F分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单

二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。

一般信息数据列表BSS84 Datasheet;

标准包装  3,000包装  标准卷带零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）50V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）130mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 1mAVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）45pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25VFET 功能-功率耗散（最大值）300mW（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）10 欧姆 @ 100mA，5V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3