NXP原装现货2N7002P,215分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单

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NXP (恩智浦半导体)是一家新近独立的半导体公司,由飞利浦公司创立,已拥有五十年的悠久历史,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为移动通信、消费类电子、安全应用、非接触式付费与连线,以及车内娱乐与网络等产品带来更优质的感知体验。

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一般信息数据列表2N7002P Datasheet;

Discrete Semiconductor Selection Guide;

标准包装  1包装  剪切带 (CT)零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)360mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值).8nC电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs4.5VVgs(最大值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)50pF电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds10VFET 功能-功率耗散(最大值)350mW(Ta)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.6 欧姆 @ 500mA,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装TO-236AB(SOT23)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

型号/规格

2N7002P

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOT323

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

剪切带

功率特性

超大功率

频率特性

超高频

整流电流

250

反向击穿电流

10