晶体管： IPP110N20N3 G

公司优势供应：IPP110N20N3 G：IPP110N20N3 G

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 88 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 87 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 小值: 71 S
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 26 ns
包装数量：500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IPP11N2N3GXK SP000677892 IPP110N20N3GXKSA1

单位重量: 2 g

型号/规格

IPP110N20N3 G

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

TO-220-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管件

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Id-连续漏极电流

88 A

Rds On-漏源导通电阻

9.9 mOhms

供应 晶体管： IPP110N20N3 G

供应晶体管： IPP110N20N3 G