晶体管 NVTFWS052P04M8LTAG

公司优势供应：NVTFWS052P04M8LTAG：NVTFWS052P04M8LTAG

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WDFN-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 13.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 69 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 6.3 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 23 W
通道模式: Enhancement
商标: onsemi
产品类型: MOSFET
包装数量：1500
子类别: MOSFETs

晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 13.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 69 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 6.3 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 23 W
通道模式: Enhancement
商标: onsemi
产品类型: MOSFET
包装数量：1500
子类别: MOSFETs

型号/规格

NVTFWS052P04M8LTAG

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

WDFN-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

晶体管极性

P-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Id-连续漏极电流

13.2 A

供应 晶体管 NVTFWS052P04M8LTAG

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