晶体管 IRF200P223

公司优势供应：IRF200P223：IRF200P223

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 102 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 313 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 62 ns
正向跨导 - 小值: 93 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 66 ns
包装数量：400
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
单位重量: 6 g

型号/规格

IRF200P223

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

TO-247-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管件

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Id-连续漏极电流

100 A

供应晶体管 IRF200P223