供应NTF2955T1G SOT223 ON 场效应管

NTF2955T1G SOT223 ON 场效应管
制造商
onsemi
产品种类
MOSFET
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
晶体管极性
P-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
185 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
14.3 nC
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.3 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降时间
38 ns
正向跨导 - 小值
1.77 S
高度
1.57 mm
长度
6.5 mm
上升时间
7.6 ns
系列
NTF2955
晶体管类型
MOSFET
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
3.5 mm
宽度
250 mg
可售卖地
全国
型号
NTF2955T1G NTF2955T1G
NTF2955T1G SOT223 ON 场效应管
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