博盛PDC3908Z 快速开关应用MOSFET

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30V N-Channel MOSFETs PDC3908Z Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V ID Drain Current – Continuous (TC=25℃) 48 A Drain Current – Continuous (TC=100℃) 30 A IDM Drain Current – Pulsed1 192 A EAS Single Pulse Avalanche Energy2 45 mJ IAS Single Pulse Avalanche Current2 30 A PD Power Dissipation (TC=25℃) 35 W Power Dissipation – Derate above 25℃ 0.28 W/℃ TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 ℃ TJ Operating Junction Temperature Range -55 to 150 ℃ Symbol Parameter Typ. Max. Unit RθJA Thermal Resistance Junction to ambient --- 62 ℃/W RθJC Thermal Resistance Junction to Case --- 3.6 ℃/W  

Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V , ID=250uA 30 --- --- V △BVDSS/△TJ BVDSS Temperature Coefficient Reference to 25℃ , ID=1mA --- 0.04 --- V/℃ IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=30V , VGS=0V , TJ=25℃ --- --- 1 uA VDS=24V , VGS=0V , TJ=125℃ --- --- 10 uA IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V , VDS=0V --- --- ±100 nA RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance3 VGS=10V , ID=16A --- 6.5 7.8 mΩ VGS=4.5V , ID=8A --- 9.2 12 mΩ VGS(th) Gate Threshold Voltage VGS=VDS , ID =250uA 1.2 1.6 2.5 V △VGS(th) VGS(th) Temperature Coefficient --- -4 --- mV/℃ gfs Forward Transconductance VDS=10V , ID=8A --- 9.5 --- S Qg Total Gate Charge3 , 4 VDS=15V , VGS=4.5V , ID=20A --- 7.5 12 Qgs Gate-Source Charge nC 3 , 4 --- 1.3 2.6 Qgd Gate-Drain Charge3 , 4 --- 4.5 8 Td(on) Turn-On Delay Time3 , 4 VDD=15V , VGS=10V , RG=3.3Ω ID=15A