XP152A12COMR P沟道功率MOS管

XP152A12COMR特性

低导通电阻: Rds(on) = 0.3Ω@ Vgs = -4.5V

              : Rds(on) = 0.5Ω@ Vgs = -2.5V

超高速开关

栅极保护二极管内置

工作电压：-2.5V

P沟道功率MOS管

DMOS结构

SOT-23封装

XP152A12COMR概述

XP152A12C0MR-G是p沟道功率MOSFET开态电阻较低和超高速开关特性。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地置，从而节省能源。为了对付静电，栅极保护二极管被内置。小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。

XP152A12COMR应用

●笔记本电脑

●手机和便携式电话

●车载电源

●锂电池系统