TK16V60W 600V/15.8A DFN 场效应管

TK16V60W产品信息数据列表TK16V60W;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列DTMOSIV规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15.8A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.7V @ 790μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）38nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1350pF @ 300VFET 功能超级结功率耗散（最大值）139W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）190 毫欧 @ 7.9A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装5-DFN（8x8）封装/外壳4-VSFN 裸露焊盘

TK16V60W N沟道 600V 15.8A MOSFET

TK16V60W  全新东芝 600V/15.8A DFN 场效应管