BSH105 垂直/D-MOS/逻辑电平FET

BSH105概述

逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用使用垂直D-MOS技术的塑料封装。

该产品仅设计适合用于计算、通信、消费电子和工业应用。

BSH105特性

占用面积小，节省PCB空间

快速开关特性，适用于高频应用

适用于逻辑电平栅极驱动源

适用于极低栅极驱动源电压

BSH105产品应用程序

电池供电应用

高速数字接口

BSH105一般描述 N沟道增强型,销描述逻辑电平,场效应功率晶体管。

这个设备已经非常低阈值电压和极使它适合快速切换电池供电的应用程序和高速数字接口。

BSH105提供的SOT23超小型表面安装包。