IRFR1205 55V 44A 功率MOS管

国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术，实现了尽可能低的导通电阻每硅片面积。这益处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用各种应用程序。

在D- Pak是专为使用表面安装气相，红外，或波焊工艺。直引线型（ IRFU系列）是吞吐量孔安装的应用程序。功耗水平达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装应用程序。

IRFR1205特点

超低导通电阻

表面贴装（ IRFR1205 ）

直铅（ IRFU1205 ）

快速开关

全额定雪崩

IRFR1205原理图

IRFR1205一般信息

数据列表IRFR/U1205PbF;标准包装2,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）65nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1300pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）107W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）27 毫欧 @ 26A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D-Pak封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63