HGT1S3N60A4DS9A 开关电源系列N沟道IGBT

地区:广东 深圳
认证:

湖人半导体(深圳)有限公司

金牌会员9年

全部产品 进入商铺


HGT1S3N60A4DS9A描述:

该HGT1S3N60A4DS9A和HGTP3N60A4D是MOS结合最好的门控高压开关设备MOSFET和双极型晶体管的特性。

这些设备有一个MOSFET和低的高输入阻抗导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。

备受较低的通态压降变化只是适度的25oC和150oC.使用的IGBT是发展型TA49327 。

在反并联使用的二极管是开发类型TA49369 。

这IGBT适用于多种高压开关在高频率下操作的应用,其中低导通损耗是必不可少的。

该装置已高频开关模式电源优化耗材。以前发育类型TA49329 。、

HGT1S3N60A4DS9A特点:

•在390V , 3A >100kHz操作

•在390V 200kHz的操作, 2.5A• 600V开关SOA能力•

典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为70ns在TJ= 125oC

•低传导损耗

•温度补偿SABER ™模型



品牌

FAIRCHILD FSC

型号

HGT1S3N60A4DS9A

封装

TO263

库存

6560

单价

请来电