IRFB7437PBF 40V/195A 功率MOS管

IRFB7437产品应用

有刷电机驱动应用

BLDC电机驱动应用

电池供电的电路

半桥和全桥拓扑结构

同步整流应用

谐振式电源

OR- ING和冗余电源开关

DC / DC和AC / DC转换

DC / AC逆变器

IRFB7437好处

改进的门，雪崩和动态的dV / dt

耐用性

充分界定电容和雪崩

SOA

增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力

LEAD -FREE

IRFB7437 产品详细信息

StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon

Infineon的StrongIRFE系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFB7437产品原理图

IRFB7437产品一般信息

数据列表IRFB7437PBF;标准包装50包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®，StrongIRFET™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）40V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.9V @ 150μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）225nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7330pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）230W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2 毫欧 @ 100A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3