BSC0908NS 功率MOS管 全新原装

BSC0908NS 产品特性

•快速开关MOSFET smp

•优化技术的直流/直流转换器

•改善转换行为

•根据JEDEC1合格)为目标应用程序

•n沟道;逻辑水平

•优秀的闸极电荷x R d()产品(FOM)

•非常低的导通电阻R DS(上)

•卓越的热阻

•雪崩额定

•Pb-free镀;通过无铅认证

•根据IEC61249-2-21无卤

BSC0908NS 产品一般信息

数据列表BSC0908NS;标准包装5,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列OptiMOS™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14A（Ta），49A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）14nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1220pF @ 15VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），30W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）8 毫欧 @ 30A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN