STU4N62K3 3.8 A, Vds=620 V TO-251封装

■100%雪崩测试

■极高的dv / dt的能力

■栅极电荷最小化

■非常低的固有电容

■提高二极管反向恢复特性

■Zener-protected

STU4N62K3应用

■切换应用程序

STU4N62K3描述

这些SuperMESH3™功率mosfet是改进的结果应用于意法半导体的SuperMESH™技术,结合一种新的优化的垂直结构。这些设备拥有极低的onresistance,优越的动态性能和高雪崩能力,使它们适合最苛刻的应用程序。

STU4N62K3产品概述

STU4N62K3产品参数

数据列表STx(I)4N62K3;标准包装75包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列SuperMESH3™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）620V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 50μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）22nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）550pF @ 50VVgs（最大值）±30VFET 功能-功率耗散（最大值）70W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2 欧姆 @ 1.9A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装I-Pak封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA