AOB409L 60V P沟道 TO-263 场效应管

产品概述

AOB409L结合先进沟MOSFET与低电阻包技术,提供极低的RDS(上)。这个设备是理想的提振消费者转换器和同步整流器,电信、工业电源和LED背光。

AOB409L产品特性

VDS                    -60V

ID (at VGS=-10V) -31.5A

RDS(ON) (at VGS=-10V) < 38mΩ

RDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 50mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AOB409L产品原理图

AOB409L产品参数数据列表AOB409L;

TO263 (D2PAK) Pkg Drawing;标准包装800包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A（Ta），31.5A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）52nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2953pF @ 30VFET 功能-功率耗散（最大值）2.1W（Ta），83.3W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）38 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-263（D2Pak）封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB