BSC036NE7NS3G 75V 100A 场效应MOS管

BSC036NE7NS3G一般信息

数据列表BSC036NE7NS3 G;标准包装5,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列OptiMOS™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.8V @ 110μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）63.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4400pF @ 37.5VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），156W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3.6 毫欧 @ 50A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN

BSC036NE7NS3G 正品原装