AO4406A 30V N沟道MOS管 美国万代

该AO4406A采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS （ ON）低栅极电荷。此装置适用于在SMPS和高侧开关一般用途的应用。AO4406A产品参数VDS                                    30V

ID (at VGS=10V)                  13A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 11.5mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 15.5mΩ100 ％ UIS测试

100% Rg经过测试AO4406A规格

FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13A（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）11.5 毫欧 @ 12A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）17nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）910pF @ 15V功率 - 最大值3.1W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SOIC