TK10E60W 开关稳压器 mos管

TK10E60W应用

开关稳压器

TK10E60W特性

(1)导通电阻低的漏极 - 源极，RDS （ ON）= 0.327Ω（典型值）。通过使用超级结结构： DTMOS

(2)易于控制门的开关

(3)增强型： Vth= 2.7〜 3.7 V（VDS= 10 V，ID= 0.5 mA）的

TK10E60W包装和内部电路

TK10E60W产品参数

数据列表TK10E60W;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列DTMOSIV规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）9.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.7V @ 500μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）20nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）700pF @ 300VVgs（最大值）±30VFET 功能超级结功率耗散（最大值）100W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）380 毫欧 @ 4.9A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220封装/外壳TO-220-3