AO3402 美国万代/30V N沟道MOS管

AO3402概述

的ao3402采用先进的沟槽技术，提供

优良的RDS（ON），门低栅极电荷和操作

电压低至2.5V。本装置适用于

负载开关或在脉宽调制应用。

AO3402特性

VDS  30V

ID (at VGS=10V) 4A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 52mΩ

RDS(ON) (at VGS =4.5V) < 65mΩ

RDS(ON) (at VGS =2.5V) < 85mΩ

AO3402产品原理图

AO3402产品技术参数

FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 55 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 4.34nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 390pF @ 15V

功率 - 最大值 1.4W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3L