FDP7030BL N沟道逻辑电平MOSFET 参数和价格

FDP7030BL产品概述

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

FDP7030BL产品特性

60 A，30 V

RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V

RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V

在高温下指定的临界DC电气参数

高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)

175°C最大结温额定值

FDP7030BL产品技术参数

数据列表FDB7030BL, FDP7030BL

TO220B03 Pkg Drawing标准包装50包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®规格FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）9 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）24nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1760pF @ 15V功率 - 最大值60W工作温度-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220-3