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产品属性
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产品概述
该AOTF404 / L采用了先进的沟槽技术和设计,提供优秀的研发RDS(ON)低栅极电荷。此装置适用于在高电压应用同步整流,负荷开关和一般各种类型的应用。
-RoHS Compliant
-AOTF404L Halogen Free
AOTF404产品特点
VDS (V) = 105V
ID = 26 A (VGS =10V)
RDS(ON) < 28 mΩ (VGS =10V)
RDS(ON) < 31 mΩ (VGS = 6V)
100% UIS Tested!
AOTF404产品参数数据列表AOTF404(L);
TO220FL Pkg Drawing;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)105V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.8A(Ta),26A(Tc)不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)46nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2445pF @ 25VFET 功能-功率耗散(最大值)2.2W(Ta),43W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)28 毫欧 @ 20A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220FL封装/外壳TO-220-3 整包
AOS
AOTF404
TO220
65600
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