FDN338P 20V1.6A/场效应管

FDN338P产品描述SuperSOTTM-3 p沟道增强型功率场效应晶体管逻辑水平生产使用仙童的专有,高细胞密度,DMOS结构技术。这非常高密度的过程是特别定制的开态电阻降到。这些设备尤其适合低电压应用于笔记本电脑、移动电话、PCMCIA卡,和其他电池供电的电路快速交换,和较低的串联功率损耗,需要在一个非常小的轮廓表面安装包。FDN338P产品特性–1.6 A, –20 V.

RDS(ON)= 115 mΩ @ VGS = –4.5 V

RDS(ON) = 155 mΩ @ VGS = –2.5 V

快速开关速度

高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

SuperSOT™ -3 提供低 RDS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比 SOT23 高出 30%

FDN338P产品技术支持数据列表FDN338P

Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing标准包装  3,000包装  标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®其它名称FDN338PTR

规格FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）20V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.6A（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）115 毫欧 @ 1.6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）6.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）451pF @ 10V功率 - 最大值460mW工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装SuperSOT-3