AO4606 互补增强型场效应晶体管

AO4606概述

The AO4606 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.

该AO4606采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的RDS （ ON）和低栅极电荷。该互补的MOSFET ，可以使用以形成一个电平移位的高侧开关，和许多其它的应用程序。

AO4606特点

N-Channel                           P-Channel

VDS= 30V                           -30V

ID= 6A (VGS=10V)               -6.5A (VGS=-10V)

RDS(ON)                             RDS(ON)

< 30mΩ (VGS=10V)             < 28mΩ (VGS=-10V)

< 42mΩ (VGS=4.5V)           < 44mΩ (VGS=-4.5V)

100% UIS Tested                  100% UIS Tested

100% Rg Tested                    100% Rg Tested

N沟道                                 P沟道

VDS= 30V                           -30V

ID= 6A (VGS=10V)               -6.5A (VGS=-10V)

RDS(ON)                             RDS(ON)

< 30mΩ (VGS=10V)             < 28mΩ (VGS=-10V)

< 42mΩ (VGS=4.5V)           < 44mΩ (VGS=-4.5V)

100 ％ UIS测试            100% Rg经过测试

100 ％ UIS测试            100% Rg经过测试