AO4724 30V SOP8 场效应MOS管

描述

SRFET™该AO4724采用先进的沟槽技术具有单片集成的肖特基二极管以提供优秀的研发DS（ ON）和低栅费。此装置适合于用作低侧FET的开关电源，负荷开关和一般各种类型的应用。

AO4724特点

VDS (V) = 30V

ID = 10.5A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 17.5mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 29 mΩ (VGS = 4.5V)

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AO4724产品概述

AO4724一般信息

数据列表AO4724;

SO8 Pkg Drawing;标准包装3,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列SRFET™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7.7A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）16nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）900pF @ 15VFET 功能肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）1.7W（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）17.5 毫欧 @ 10.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）