SI4848DY-T1-E3 N沟道MOS管 单价

型号：SI4848DY SI4848DY-T1-E3

厂商：VISHAY品牌

封装：SOP-8/8-SOIC

包装：2500PCS/盘

批次：2016+

类型：MOS管

描述：150V 2.7A N沟道 MOS管

丝印（打字）：4848

备注：全新VISHAY原厂原装现货 

SI4848DY-T1-E3 特性

无卤根据IEC 61249-2-21的定义

TrenchFET®功率场效应管

符合RoHS指令2002/95 / EC

SI4848DY产品目录

SI4848DY一般信息

数据列表SI4848DY-T1-E3 ;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）150V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）21nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-Vgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）1.5W（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）85 毫欧 @ 3.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）