AOD425 30V/9A P沟道 TO-252 功率MOS管

AOD425概述

本AOD425采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS （ ON）和超低栅极电荷用25V的栅极评级。此装置适用于使用作为负载开关或PWM应用。该装置是ESD保护。

-RoHS Compliant

-Halogen Free*

AOD425特性

VDS (V) = -30V

ID = -50A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 17mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -5V)

ESD Protected!

100% Rg Tested!

AOD425产品参数

数据列表AOD425;

TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）9A（Ta），50A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）38nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2200pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），71W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）17 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63