IRFP9140N 100V P沟道 功率MOSFET 单价

IRFP9140N产品特性

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

P沟道

快速开关

全额定雪崩

IRFP9140N产品描述

国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这益处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供用一个非常有效和可靠的装置，用于使用在各种各样的应用中。

在TO- 247封装的首选commercial-工业应用更高的功率电平排除使用的TO-220的设备。该TO- 247相似但优于早前TO- 218封装因为它孤立的安装孔。

IRFP9140N产品原理图

IRFP9140N产品详细信息

P通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFP9140N产品一般信息

数据列表IRFP9140N;标准包装25包装散装 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型P 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）23A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）97nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1300pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）140W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）117 毫欧 @ 13A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装TO-247AC封装/外壳TO-247-3