AO4803A 30V 5A 双P沟道MOS管

AO4803A特性

VDS                                   -30V

ID (at VGS=-10V)               -5A

RDS(ON) (at VGS=-10V)     < 46mΩ

RDS(ON) (at VGS = -4.5V)  < 74mΩ

100 ％ UIS测试

100% Rg经过测试

AO4803A产品技术参数

标准包装   3,000

包装   标准卷带

类别 分立半导体产品

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 46 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 11nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 520pF @ 15V

功率 - 最大值 2W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装 8-SOIC

AO4803A大量现货