AOD4128 25V/60A AOS品牌 场效应MOS管

AOD4128使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上),低闸极电荷和低门阻力。这个设备是适合使用的低侧开关CPU核心权力转换。设备也可以用于PWM,负荷开关和通用应用程序。

通过无铅认证

特性

VDS (V) = 25V

ID = 60 A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 4 mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 7 mΩ (VGS = 4.5V)

100% UIS Tested!

100% Rg Tested!

AOD4128产品原理图

AOD4128绝对最大额定参数TA = 25°C除非另有注明

AOD4128产品一般信息

数据列表AOD4128;

TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）25V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4300pF @ 12.5VFET 功能-功率耗散（最大值）2W（Ta），75W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63