FQA24N50 500V/24A/N沟道MOS管

地区:广东 深圳
认证:

湖人半导体(深圳)有限公司

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FQA24N50特性

24 A、500 V、RDS(on) = 200 mΩ(最大值)(VGS = 10 V、ID = 12 A)

低栅极电荷(典型值 90 nC)

低 Crss(典型值 55 pF)

100% 经过雪崩击穿测试

符合 RoHS 标准

FQA24N50概述

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥电子灯整流器。

FQA24N50产品参数FET 类型MOSFET N 通道FET 功能标准漏源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)24A(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)200 毫欧 @ 12A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)120nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)4500pF @ 25V功率 - 最大值290W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3封装TO-3PN



品牌

FAIRCHILD FSC

型号

FQA24N50

封装

TO3P

库存

65600

单价

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