FQA24N50 500V/24A/N沟道MOS管

FQA24N50特性

24 A、500 V、RDS(on) = 200 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 12 A）

低栅极电荷（典型值 90 nC)

低 Crss（典型值 55 pF)

100% 经过雪崩击穿测试

符合 RoHS 标准

FQA24N50概述

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥电子灯整流器。

FQA24N50产品参数FET 类型MOSFET N 通道FET 功能标准漏源极电压（Vdss）500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）24A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）200 毫欧 @ 12A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）120nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）4500pF @ 25V功率 - 最大值290W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3封装TO-3PN

品牌

FAIRCHILD FSC

型号

FQA24N50

封装

TO3P

库存

65600

单价

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