BSC0901NS 100 A, Vds=30 V 特价 原装进口

BSC0901NS描述

的OptiMOS ™ 30V产品业内领先的功率MOSFET的最大功率密度和高能效的解决方案。超低栅极电荷输出在一起用的通态电阻小尺寸封装的OptiMOS做出™ 30V对于稳压器解决方案的苛刻要求的最佳选择服务器，数据通信和电信应用。超快速开关控制场效应管连同低EMI同步的FET提供解决方案，易于设计英寸的OptiMOS ™产品是高性能包处理提供您的最具挑战性的应用，充分灵活地优化空间效率和成本。的OptiMOS ™产品的设计，以满足和超越的能量锋利下一代的效率和功率密度的要求在计算应用中电压调节标准。

BSC0901NS特点

•优化的高性能降压转换器

•100%雪崩测试

•非常低的导通电阻RDS()@ vg = 4.5 V

•n沟道

•根据JEDEC1合格)为目标应用程序

•卓越的热阻

•Pb-free电镀;通过无铅认证

•根据IEC61249-2-21无卤

BSC0901NS应用

•在服务器

•高性能计算的功率管理

•同步整流

•高功率密度荷载点转换器

BSC0901NS一般信息

数据列表BSC0901NS;标准包装5,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列OptiMOS™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）28A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）44nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2800pF @ 15VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），69W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）1.9 毫欧 @ 30A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN