供应大功率场效应管 IXFH26N60Q/26N60

描述

• 晶体管*性:N沟道
• 漏*电流, Id *大值:26A
• 电压, Vds *大:600V
• 开态电阻, Rds(on):0.25ohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 电压, Vgs *高:20V
• 功耗:360W
• 工作温度范围:-55°C to 150°C
• 封装类型:TO-247
• 针脚数:3
• N沟道栅*电荷 Qg:150nC
• 功率, Pd:360W
• 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
• 封装类型:TO-247
• 时间, trr 典型值:250ns
• 晶体管数:1
• 晶体管类型:MOSFET
• *大重复雪崩能量 Ear:45mJ
• 温度 @ 电流测量:25°C
• 满功率温度:25°C
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:600V
• 电压变化率 dv/dt:5V/ns
• 电流, Id 连续:26A
• 电流, Idm 脉冲:104A
• 结温, Tj :-55°C
• 结温, Tj *高:150°C
• 表面安装器件:通孔安装
• 通态电阻, Rds on *大:0.25ohm
• 重量:6g
• 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
• 阈值电压, Vgs th *高:4.5V