【华强实体店供应】LED电源用贴片场效应管 FQD2N60C/FQD2N60

电流特性曲线(X:500mV; Y:100mA;VGS:1V):

因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。

耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA):

应用案例：

1、LED 日光灯驱动电源 （T8以上内置电源）:

MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关性能

在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。这里将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。
 

EAS，IAR和EAR的定义及测量

　　MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其*终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲（时间为100～200μs）的热响应可以由式1说明：

 (1)