场效应管 STB19*20T4/B19*20可代用IRF640NS/IRF640S/IRF630

应用案例：

類別 離散半導體產品

家庭 MOSFET - 單

安裝類型 通孔式

FET型 N通道

漏極至源極的電壓(Vdss) 200V

 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 19A

開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 9.5A，10V

輸入電容(Ciss)@Vds 1000pF @ 25V

功率 - *大 125W

封裝 盘裝

閘電流(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V

封裝/外殼 D2PAK TO-263

閘極至源極的電壓（*大Vgs） 30V