MOS管6N60场效应管

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当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELE*RIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂*性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差*过阈值电压时，channel就出现了

品牌/商标

国产

型号/规格

6N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源