MOS管5N60场效应管

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*先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电*，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属*就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的*缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUN*ION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属*带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化*小，对器件整体的特性影响也*小。

品牌/商标

国产

型号/规格

5N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

IGBT*缘栅比*

供应MOS管5N60场效应管

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