图文详情
产品属性
相关推荐
基于二极管的TVS产品拥有其它ESD保护产品所不具备的多用性——可选择单向和双向保护。基本二极管是单向产品,且是仅有的单向保护元件。串联结合两个二极管就能轻易地构成双向保护。双向保护可通过共阴极或共阳极配置来实现。使用一对单向TVS器件便能实现双向保护性能。市面上有多种基于双向二极管的TVS器件,这些器件中的两个二极管均位于同一个封装,甚至经常集成在单个硅衬底上。
瞬态抑制二极管是一种能把瞬态电压抑制在被保护元件能承受的安全水平的高效能保护器件。瞬态电压是交流电路上电流与电压的一种瞬时态的畸变,会对微电子半导体芯片造成损坏。虽然有些微电子半导体芯片受到瞬态电压侵袭后,它的性能没有明显的下降,但是多次累积的侵袭会给芯片器件造成内伤而形成隐患。瞬态抑制二极管能够有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。
二极管的特性举例
1、正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-I特性
对应于第①段的正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V,锗管的Vth约为0·lV,当正向电压大于Vth时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。
2、反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性
P型半导体中的少数载流子(电子)和N型半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。
温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。
3、反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性
当增加反向电压时, 因在一定温度条件下, 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿, 对应于第③段,其原因与PN结击穿相同。
SES5VD923-2U
Semitel
SOD923
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
全新原装二极管CPDQ5V0U1
供应ESD防静电SP1005-01ETG静电保护二极管SP1005-01ETG
供应ESD保护二极管AZ5525-01F现货AZ5525-01F
供应ESD防静电ULTVSG25VCES-01FGP静电保护二极管ULTVSG25VCES-01FGP
供应ESD二极管AZ5013-01F现货
供应ESD防静电VESD12A1C-HD1静电保护二极管VESD12A1C-HD1
供应ESD防静电AZ5123-01F二极管AZ5123-01F
供应ESD防静电PESD5V0V1BL二极管PESD5V0V1BL
供应ESD防静电PESD0402-140二极管PESD0402-140
供应ESD防静电SP1007-01WTG静电保护二极管SP1007-01WTG