供应ESD防静电PESD5V0V1BL二极管PESD5V0V1BL

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反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子(电子)和N半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。

温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。

 

ESD保护元件比较

对应力有不对称敏感度的电路节点,可能需要只有TVS二极管产品才能提供的单向保护。高速应用要求非常低的电容,这使得使聚合物器件具有吸引力。聚合物器件可以满足对低电容和保护能力的要求。为了让聚合物TVS产品可以用在高速应用中,高速节点需要在瞬态高压下工作以导通聚合物TVS,并在导通模式下提供中等阻抗。

 

特点

 ESD保护最小化传输差分信号(TMDS)信道保护四个I / O线

每一行提供ESD保护IEC61000-4-2ESD)±15kV(空气),±10kV的(接触)

IEC61000-4-5(闪电)3.5A8/20μS

工作电压5V及以下

超低电容:典型值为0.5pF

快速的开启和低钳位电压

内部的ESD二极管阵列

相当于TVS(瞬态电压抑制)二极管

简化布局HDMI连接器

固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分

 

过去,硅TVS器件由于电容高,在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而,近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上,ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。

 

型号/规格

PESD5V0V1BL

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOD882

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装