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产品属性
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反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性
P型半导体中的少数载流子(电子)和N型半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。
温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。
ESD保护元件比较
对应力有不对称敏感度的电路节点,可能需要只有TVS二极管产品才能提供的单向保护。高速应用要求非常低的电容,这使得使聚合物器件具有吸引力。聚合物器件可以满足对低电容和保护能力的要求。为了让聚合物TVS产品可以用在高速应用中,高速节点需要在瞬态高压下工作以导通聚合物TVS,并在导通模式下提供中等阻抗。
特点
ESD保护最小化传输差分信号(TMDS)信道保护四个I / O线
每一行提供ESD保护IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±10kV的(接触)
IEC61000-4-5(闪电)3.5A(8/20μS)
工作电压为5V及以下
超低电容:典型值为0.5pF
快速的开启和低钳位电压
内部的ESD二极管阵列
相当于TVS(瞬态电压抑制)二极管
简化布局HDMI连接器
固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分
过去,硅TVS器件由于电容高,在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而,近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上,ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。
PESD5V0V1BL
NXP(恩智浦)
SOD882
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
供应ESD防静电PSLT二极管PSLT
供应ESD防静电RS1E003T二极管RS1E003T
供应ESD防静电VBUS05L1-DD1静电保护二极管VBUS05L1-DD1
供应ESD防静电L14ESD12VP2二极管L14ESD12VP2
供应ESD防静电SESD0402X1UN-0020-090静电保护二极管SESD0402X1UN-0020-090
供应ESD防静电ESDAXLC6-1MY2二极管ESDAXLC6-1MY2
供应ESD保护二极管ESD9B5VLD现货ESD9B5VLD
供应ESD防静电ESDALCL5-1BM2二极管ESDALCL5-1BM2
供应ESD防静电ESD9X5V二极管ESD9X5V
供应ESD防静电ESDR0502BT1G二极管ESDR0502BT1G