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产品属性
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过去,硅TVS器件由于电容高,在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而,近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上,ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。
特点
ESD保护最小化传输差分信号(TMDS)信道保护四个I / O线
每一行提供ESD保护IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±10kV的(接触)
IEC61000-4-5(闪电)3.5A(8/20μS)
工作电压为5V及以下
超低电容:典型值为0.5pF
快速的开启和低钳位电压
内部的ESD二极管阵列
相当于TVS(瞬态电压抑制)二极管
简化布局HDMI连接器
固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分
二极管的特性举例
1、正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-I特性
对应于第①段的正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V,锗管的Vth约为0·lV,当正向电压大于Vth时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。
2、反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性
P型半导体中的少数载流子(电子)和N型半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。
温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。
3、反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性
当增加反向电压时, 因在一定温度条件下, 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿, 对应于第③段,其原因与PN结击穿相同。
SESD0402X1UN-0020-090
TYCO
C0402
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
供应ESD防静电PDFB050150-SOD923静电保护二极管PDFB050150-SOD923
供应ESD防静电PESD3V3S1UL二极管PESD3V3S1UL
供应TVS静电保护CPDQ3V3U
供应AZ1013-04S静电保护
供应ESD防静电PESD5V0V1BDSF二极管PESD5V0V1BDSF
供应ESD防静电PESD5V0F1BRSF二极管PESD5V0F1BRSF
供应PDAB050120-SOD882 静电保护二极管
供应ESD防静电PDC050150-0603二极管PDC050150-0603
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