供应ESD防静电SP1005-01ETG静电保护二极管SP1005-01ETG

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过去,硅TVS器件由于电容高,在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而,近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上,ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。

二极管的作用

    1整流二极管

利用二极管单向导电特性,可以把方向交替变化的交流电转变成单一方向的脉动直流电

2稳压二极管

反向击穿电压恒定,且击穿后可恢复,利用这一特性可以实现稳压电路。

3、限幅元件

二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。

4、显示元件

作为发光管用于VCDDVD、计算器等显示器上。

5、检波二极管

在各种收音装置中起检波作用。

6、继流二极管

开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。

7、变容二极管

使用于电视机的高频头中起变容作用。

二极管的特性举例

   1、正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-I特性

对应于第①段的正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V,锗管的Vth约为0·lV,当正向电压大于Vth时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。

2、反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子(电子)和N半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。

温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。

3、反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时, 因在一定温度条件下, 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿, 对应于第③段,其原因与PN结击穿相同。

 

型号/规格

SP1005-01ETG

品牌/商标

LITTELFUS

封装形式

SOD882

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装