图文详情
产品属性
相关推荐
反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性
P型半导体中的少数载流子(电子)和N型半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。
温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。
过去,硅TVS器件由于电容高,在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而,近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上,ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。
特点
ESD保护最小化传输差分信号(TMDS)信道保护四个I / O线
每一行提供ESD保护IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±10kV的(接触)
IEC61000-4-5(闪电)3.5A(8/20μS)
工作电压为5V及以下
超低电容:典型值为0.5pF
快速的开启和低钳位电压
内部的ESD二极管阵列
相当于TVS(瞬态电压抑制)二极管
简化布局HDMI连接器
固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分
PESD12VS1UL
NXP(恩智浦)
SOD882
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
供应ESD防静电UMD05-0402静电保护二极管UMD05-0402
供应ESD防静电ESDALC14V2-1U2二极管ESDALC14V2-1U2
供应ESD保护二极管EGA10402V12B0现货EGA10402V12B0
供应ESD防静电RS2TG515M二极管RS2TG515M
供应ESD保护二极管ESD5V0D9现货ESD5V0D9
供应ESD防静电AOZ8231ADI-02静电保护二极管AOZ8231ADI-02
供应ESD防静电LXES03BAA1-110二极管LXES03BAA1-110
供应ESD防静电LXES1UBBB1-008二极管LXES1UBBB1-008
供应ESD防静电AOZ8001DI静电保护二极管AOZ8001DI
供应AOZ8231ADI-08静电保护二极管