2英寸IC级半导体氧化硅片(真*装)

地区:上海
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直径 2英寸

 

生长方式 直拉/区熔

 

氧化层厚度:可定制

 

氧化方法:干氧/干湿结合氧化/湿氧/化学气相沉积

 

导电类型 P型/N型/本征

 

晶向 <111> <100><110>

 

抛光: 单面 双面

 

TTV(总厚度变化) < 5um

 

TIR(平整度) < 3um

 

粗糙度 < 0.5纳米

 

厚度 : 可定制

 

电阻率 : 可定制

 

particle: <

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是否提供加工定制

种类

元素半导体

特性

半导体晶圆

用途

半导体晶圆