4英寸IC半导体级氧化硅片(铝箔真*装)
地区：上海
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无
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| 等级 | Prime |
| 晶体生长方式 | (CZ)(FZ) |
| 直径(mm) | 100mm +/-0.2mm |
| 导电类型（掺杂） | N（Phos） P(Boron) |
| 晶向 | <100><111><110> |
| 电阻率(ohm-cm) | (0.0001 - 0.9) (1 - 10) (10 - 100)可定制 |
| 厚度(um) | 300, 400, 500,可定制 |
| 氧化层厚度(nm) | 300, 400, 500,可定制 |
| 表面粗糙度(nm) | <0.5 <0.2 |
| 整体厚度公差TTV(um) | <5 |
| 平整度TIR(um) | <3 |
| 平面度(') | < 3 |
| 弯曲度(um) | <15 |
| 翘曲度(um) | <20 |
| 表面清洁度 | 开盒即用免洗 |
| Primary Flat | |
| Second Flat | |
| 位错 | 无 |
| 晶体缺陷 | 无 |
| 少子寿命(us) | 电子级 |
氧化膜硅片
上海晶合电子材料
是
元素半导体
半导体晶圆
半导体晶圆
