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3英寸IC半导体级氧化硅片

地区：上海
认证： 无

上海国丽电子科技有限公司

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直径 3英寸

 

生长方式 直拉/区熔

 

氧化层厚度：可定制

 

氧化方法：干氧/干湿结合氧化/湿氧/化学气相沉积

 

导电类型 P型/N型/本征

 

晶向 <111> <100><110>

 

抛光: 单面 双面

 

TTV（总厚度变化） < 5um

 

TIR（平整度） < 3um

 

粗糙度 < 0.5纳米

 

厚度 : 可定制

 

电阻率 : 可定制

 

particle: <

是否提供加工定制

是

种类

元素半导体

特性

半导体晶圆

用途

半导体晶圆