IC半导体光刻工艺(单面)

地区:上海
认证:

上海国丽电子科技有限公司

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我们单位可以*进行单面光刻

1.掩模板尺寸:4"x4“
2.基材:2”,3”,4”具平边的晶圆或解理片
3.曝光面积:2”,3”,4”

4.汞灯光源:350W,350nm-450nm
5.显微镜:10x10,20x10倍
6.曝光模式:接触式 
7.对准系统:全手动正面对准,红外光及CCD反面对准
8.分辨率:1μm
9.正面对准精度:0.2μm



 

是否提供加工定制

种类

元素半导体

特性

半导体工艺

用途

半导体工艺