射频 晶体管 MRF18090AR3 分立半导体产品

MRF18090AR3介绍；

描述 FET RF 65V 1.81GHZ NI-880

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 射频 Mosfet LDMOS 26V 750mA 1.81GHz 13.5dB 90W NI-880

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

制造商 NXP USA Inc.

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

晶体管类型 LDMOS

频率 1.81GHz

增益 13.5dB

电压 - 测试 26V

额定电流 -

噪声系数 -

电流 - 测试 750mA

功率 - 输出 90W

电压 - 额定 65V

封装/外壳 NI-880

供应商器件封装 NI-880

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。