BSC883N03MSG INFINEON 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

Digi-Key 零件编号 BSC883N03MSGATMA1TR-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSC883N03MSGATMA1
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 带卷（TR） ?
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss) 34V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Ta），98A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），57W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 30A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN

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